NDS9407-G
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9407-G
- 商品编号
- C3289730
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 732pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺,具备坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V - 20V)的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- RDS(ON) = 240 mΩ(VGS = - 4.5 V时)
-
- 3.0 A,- 60 V,RDS(ON) = 150 mΩ(VGS = - 10 V时)
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO - 8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护