NDS9407-G
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9407-G
- 商品编号
- C3289730
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 732pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款采用热增强型SO8 FLMP封装的N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计。它在低漏源导通电阻（R_DS(ON)）和栅极电荷（Qg）之间取得了平衡，非常适合隔离和非隔离拓扑中的同步整流器应用。它也非常适合负载点转换器中的高端和低端开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 8 mΩ
- 17.5 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷（Qg）和栅极电阻（Rg），实现快速开关
- FLMP SO-8封装，在行业标准封装外形下增强热性能。
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 同步降压VRM和POL转换器