温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4838BDY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:12V 电流:34A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：低VIN DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4838BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C3289725
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.145nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用量身定制，采用了最新的加工技术，实现了单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 低VIN直流-直流转换器
相似推荐
其他推荐
- SQ4050EY-T1_BE3
- SI4114DY-T1-E3
- SQ4961EY-T1_GE3
- SI4850EY-T1-E3
- SQ4431EY-T1_BE3
- SQ4425EY-T1_BE3
- SI4559ADY-T1-E3
- SI4425FDY-T1-GE3
- SQ9945BEY-T1_BE3
- SQ4946CEY-T1_GE3
- SI4090BDY-T1-GE3
- SI4056ADY-T1-GE3
- SI4431BDY-T1-E3
- SI4838DY-T1-E3
- SQ9407EY-T1_BE3
- SI4456DY-T1-E3
- SI4100DY-T1-E3
- SQ4483EY-T1_GE3
- SQ4005EY-T1_BE3
- IRFL9014TRPBF-BE3
- IRLL110TRPBF-BE3