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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电