FDS6690S
N沟道,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6690S
- 商品编号
- C3289718
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
商品特性
- RDS(ON) = 0.025 Ω(VGS = 4.5 V时)
- 10 A、30 V,RDS(ON) = 0.016 Ω(VGS = 10 V时)
- 集成SyncFET肖特基二极管
- 低栅极电荷(典型值20 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器