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SQ4920EY-T1_BE3

2个N沟道耐压:30V 电流:8A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4920EY-T1_BE3
商品编号: C3289713
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这款双P沟道MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。该器件专为手机和其他超便携式应用中的电池充电开关而设计，提供单封装解决方案。其特点是具备两个独立的P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。采用典型的共源极配置连接时，可实现双向电流流动。SC-75 MicroFET封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

商品特性

在VGS = -4.5 V、ID = -2.9 A时，最大rDS(on) = 112 mΩ
在VGS = -2.5 V、ID = -2.4 A时，最大rDS(on) = 160 mΩ
在VGS = -1.8 V、ID = -2.1 A时，最大rDS(on) = 210 mΩ
在VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 300 mΩ
栅极电荷低，功率和电流处理能力强
典型人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >1.5 kV
符合RoHS标准

应用领域

电池管理/充电器应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	14.5mΩ@10V,6A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	4.4W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.465nF@15V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)