ALD1106SBL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低阈值电压 0.7V
- 低输入电容
- 低失调电压(Vos) —— 典型值 2mV
- 高输入阻抗 —— 典型值 10^14 Ω
- 负电流(IDS)温度系数
- 增强型(常开)
- 直流电流增益 10^9
- 低输入和输出泄漏电流
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样和保持-模拟信号处理