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ZXMC4559DN8TA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:4.7A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMC4559DN8TA
- 商品编号
- C3289684
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及多种其他应用。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-低导通电阻-逻辑电平栅极驱动-快速开关-全雪崩额定-无铅,符合RoHS标准-通过汽车级认证