FDS6064N7
23A,20V N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6064N7
- 商品编号
- C3289692
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.191nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 703pF |
商品概述
FDMS0343S旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 23 A、20 V。RDS(ON) = 3.5 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- RDS(ON) = 4 m Ω(VGS = 2.5 V 时)
- RDS(ON) = 6 m Ω(VGS = 1.8 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关、低栅极电荷
- FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
- 同步整流器
- DC/DC转换器