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IRF7328PBF
双P沟道MOSFET,电流:-8.0A,耐压:-30V
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- 描述
- 新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这种优势与HEXFET功率MOSFET坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7328PBF
- 商品编号
- C3289663
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 262pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 409pF |
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