IRF7422D2
P-通道MOSFET,电流:-3.4A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7422D2
- 商品编号
- C3289666
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
共封装HEXFET和肖特基二极管的FETKYTM系列产品为设计人员提供了一种创新的节省电路板空间的解决方案,适用于开关稳压器和电源管理应用。第五代HEXFET采用先进的加工技术,在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。将这项技术与国际整流器公司(International Rectifier)的低正向压降肖特基整流器相结合,可得到一种极其高效的器件,适用于各种便携式电子应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进,以增强热特性。SO - 8封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100% Rg和UIS测试