AUIRF7303QTR
双N沟道MOSFET,电流:5.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7303QTR
- 商品编号
- C3289668
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.08mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合用于高效、低压电源管理应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 在最高结温Tjmax下允许重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制