IRF7101PBF
2个N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7101PBF
- 商品编号
- C3289672
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第四代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和双芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可达0.8W以上。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-超低导通电阻-表面贴装-动态dv/dt额定值-快速开关-无铅