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IRF7309PBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7309PBF
- 商品编号
- C3289674
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.310914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(3800个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3800个/管
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