IRF8915PBF
N沟道,电流:8.9A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8915PBF
- 商品编号
- C3289671
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 超低栅极阻抗-极低的导通电阻RDS(ON)-雪崩电压及电流特性完整
应用领域
- 用于台式机、服务器、显卡、游戏机和机顶盒的负载点（POL）转换器的双SO-8封装MOSFET