IRF6201PBF
N沟道,电流:27A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6201PBF
- 商品编号
- C3289667
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.555nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.29nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.735nF |
商品概述
IRF3575DPbF顶部外露式集成功率模块是一款单相同步降压转换器，内置一对共封装的控制MOSFET和同步MOSFET。它在内部针对PCB布局、热传递和封装电感进行了优化。结合最新一代的IR MOSFET技术，IRF3575DPbF在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的低输出电压下可提供更高的效率。
高达1.0MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许输出电感以及输入和输出电容实现小型化。IRF3575DPbF将两个高性能MOSFET集成在一个封装中，同时提供卓越的效率和散热性能，可实现最小尺寸和更低的解决方案成本。
IRF3575DPbF采用IR最新一代的低压MOSFET技术，提供超低（< 0.5Ω）栅极电阻（Rg）和栅极电荷，从而将开关损耗降至最低。同步MOSFET的低RDSon电阻可优化传导损耗，并采用单片集成肖特基二极管，显著减少死区时间以及二极管传导和反向恢复损耗。
IRF3575DPbF专门针对服务器、窄VDC笔记本电脑、GPU和DDR内存设计等12V输入应用中的CPU核心供电进行了优化。
商品特性
- 在1.2V时峰值效率高达95%
- 在单个PQFN封装中集成一对控制MOSFET和同步MOSFET
- 专有封装可将封装寄生参数降至最低，并简化PCB布局
- 输入电压（VIN）范围为4.5V至21V
- 每相输出电流能力为60A
- 开关频率高达1.0MHz
- 超低Rg MOSFET技术可将开关损耗降至最低，以优化高频性能
- 带有单片集成肖特基二极管的同步MOSFET可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
- 通过外露焊盘增强顶部散热
- 小型6mm x 6mm x 0.65mm PQFN封装
- 符合RoHS标准，无卤
应用领域
- 大电流、薄型DC-DC转换器-CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节器