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SIS590DN-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS590DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289419
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 251mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
应用领域
- 便携式设备
- 功率放大器开关
- 电池开关
- 负载开关
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