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SIS888DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:20.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS888DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289426
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- ThunderFET技术优化了导通电阻(RDS(on))、栅极电荷(Qg)、开关电荷(Qsw)和输出电容电荷(Qoss)之间的平衡
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-初级侧开关-同步整流-直流/直流转换-负载开关-升压转换器-直流/交流逆变器
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