SISHA10DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SISHA10DN-T1-GE3商品编号
C3289437商品封装
PowerPAK1212-8SH包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,25A | |
耗散功率(Pd) | 3.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
栅极电荷量(Qg) | 15.4nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.425nF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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