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SISHA10DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：高功率密度 DC/DC。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISHA10DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289437
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、DC-DC转换器、负载开关
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
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