SQS140ENW-T1_GE3
汽车级N沟道40V MOSFET,电流:152A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS140ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C3289439
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SLW
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 152A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.111nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.295nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 可焊侧翼引脚
- 0.75mm薄型封装,热阻低
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
相似推荐
其他推荐
- SQSA70CENW-T1_GE3
- SQ7415CENW-T1_GE3
- SIHH14N65EF-T1-GE3
- SQJQ148ER-T1_GE3
- SIJH600E-T1-GE3
- SIHH186N60EF-T1GE3
- SIJH800E-T1-GE3
- SQJQ112E-T1_GE3
- SIHH11N60EF-T1-GE3
- SQJQ140E-T1_GE3
- SQJQ131EL-T1_GE3
- SQJQ112ER-T1_GE3
- SQA470CEJW-T1_GE3
- SQA470EEJ-T1_GE3
- SIA436DJ-T4-GE3
- SQA401CEJW-T1_GE3
- SQA410CEJW-T1_GE3
- SQA446CEJW-T1_GE3
- SIRA80DP-T1-RE3
- SIRA99DP-T1-GE3
- SQJ182EP-T1_GE3