SIHH186N60EF-T1GE3

N沟道 MOSFET,电流:16A,耐压:600V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHH186N60EF-T1GE3
商品编号: C3289445
商品封装: PowerPAK(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4207克(g)

商品参数

商品概述

汽车级P沟道40 V（D-S）175 °C MOSFET PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生封装。它采用相同的封装技术，最大限度地增大了芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供直接、低电阻的散热路径。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍。其热性能优于市场上所有现有的表面贴装封装。它能充分利用任何PCB板散热器的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。单通道和双通道PowerPAK 1212-8与单通道和双通道PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列。PowerPAK高度仅1.05 mm，这两种版本都是空间受限应用的理想选择。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准
无卤

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	193mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	114W
	阈值电压(Vgs(th))	5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	32nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.081nF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	52pF