SIHH186N60EF-T1GE3
N沟道 MOSFET,电流:16A,耐压:600V
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIHH186N60EF-T1GE3商品编号
C3289445商品封装
PowerPAK(8x8)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
导通电阻(RDS(on)) | 168mΩ@10V,9.5A | |
耗散功率(Pd) | 114W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.081nF | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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