温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA80DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:335A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比，降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA80DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289458
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 335A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.93mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.53nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 626pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.28nF |
相似推荐
其他推荐
- SIRA99DP-T1-GE3
- SQJ182EP-T1_GE3
- SI7172ADP-T1-RE3
- SQJ500AEP-T1_BE3
- SI7454FDP-T1-RE3
- SQJ412EP-T2_GE3
- SIR574DP-T1-RE3
- SIR4602LDP-T1-RE3
- SIR670DP-T1-GE3
- SQJ147ELP-T1_GE3
- SIR846BDP-T1-RE3
- SI7633DP-T1-GE3
- SIR180ADP-T1-RE3
- SQJ858AEP-T1_BE3
- SIR500DP-T1-RE3
- SIRS700DP-T1-GE3
- SQJ128ELP-T1_GE3
- SIHJ690N60E-T1-GE3
- SIRA18BDP-T1-GE3
- SQJ146ELP-T1_GE3
- SIR578DP-T1-RE3