商品概述

汽车级N沟道40 V（D-S）、175 °C MOSFET，PowerPAK 1212-8单管封装。PowerPAK是一种解决了这些问题的新型封装技术。PowerPAK 1212-8在小尺寸封装中实现了超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8封装是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术，最大限度地增大了芯片面积。芯片粘贴焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供了一条直接的低电阻热通路。因此，PowerPAK 1212-8将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中，具备相同的热性能水平。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍。其热性能优于市场上所有现有的表面贴装（SMT）封装。它能充分利用任何印刷电路板（PCB）的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要较大封装的应用，PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。

商品特性

沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
符合RoHS标准且无卤素
N沟道MOSFET

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	437A
	导通电阻(RDS(on))	1.66mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	500W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	150nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.315nF@25V
	反向传输电容(Crss)	54pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道

SQJ128ELP-T1_GE3

商品参数

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