SI7892BDP-T1-GE3
N沟道,电流:25A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7892BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289484
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.775nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤素
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