温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7434ADP-T1-RE3
N沟道,电流:12.3A,耐压:250V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻PowerPAK封装。 100% Rg和UIS测试。应用：初级侧开关。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7434ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289495
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-初级侧开关-同步整流-DC/DC转换器-照明-工业领域
相似推荐
其他推荐
- SQJ211ELP-T1_GE3
- SIR4606DP-T1-GE3
- SIR516DP-T1-RE3
- SIR182LDP-T1-RE3
- SQJ459EP-T1_GE3
- SIR680ADP-T1-RE3
- SI7190ADP-T1-RE3
- SIJA58ADP-T1-GE3
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3
- SIR510DP-T1-RE3
- SQJ850EP-T1_GE3