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SIR582DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:116A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR582DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289509
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 92.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC初级侧开关-电信/服务器48V全/半桥DC/DC-工业领域-电机驱动控制-同步整流
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