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SI7252ADP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:28.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET经过PWM优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：系统电源DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7252ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289528
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.266nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- PWM优化型TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 电信电源-分布式电源架构-微型电源模块
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