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SIDR392DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Pg和UIS测试。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR392DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289536
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.53nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 626pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd / Qgs比 < 1，优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
- 电池和负载开关
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