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SIDR220EP-T1-RE3
N沟道 MOSFET,电流:415A,耐压:25V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR220EP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289537
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 415A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.36nF |
商品特性
- 2x2封装中最低的导通电阻RDS(on)
- 2x2封装中卓越的热阻性能
- 针对高性能和功率密度进行优化
- 100%雪崩测试
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
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