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SI1467DH-T1-BE3
P沟道 MOSFET,电流:-2.7A,耐压:-20V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1467DH-T1-BE3
- 商品编号
- C3289609
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 561pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
-便携式设备的负载开关
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