2SJ621-T1B-AT
P-通道MOSFET,电流:3.5A,耐压:12V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ621-T1B-AT
- 商品编号
- C3289634
- 商品封装
- SC-96-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道6引脚SC-70封装，与现有的采用42合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，提供N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
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