MCB20P1200LB-TRR
4个N沟道 耐压:1.2kV
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- MCB20P1200LB-TRR
- 商品编号
- C3289644
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这款指定 -1.8V 的 P 沟道 MOSFET 采用先进的低压功率沟槽工艺，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -4.1 A，-20 V
- 当 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 60 mΩ
- 当 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 85 mΩ
- 当 VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 133 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 采用紧凑的行业标准 SC75-6 表面贴装封装
应用领域
- 电池管理
- 负载开关