5LP01S-TL-E
P沟道,电流:0.07A,耐压:-50V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 5LP01S-TL-E
- 商品编号
- C3289636
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 低导通电阻
- 超高速开关
- 2.5V驱动
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 电信二次侧整流
- 高端服务器/工作站Vcore低端