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SQ1922AEEH-T1_GE3
汽车双N沟道20V MOSFET,电流:0.85A,耐压:20V
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- 描述
- 适用于需要小型化封装且需要开关低电流（约250 mA）的小信号应用，可直接或通过电平转换配置使用。提供一系列导通电阻规格的6引脚版本，新的6引脚SC-70封装可实现更好的导通电阻值和增强的热性能。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 商品编号
- C3289612
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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