PMR780SN115
N通道增强模式场效应晶体管,电流:0.55A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMR780SN115
- 商品编号
- C3289620
- 商品封装
- SC-75
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 530mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.05nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。新型6引脚SC-70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
-表面贴装封装-占位面积比SOT23小63%-低导通电阻-快速开关
应用领域
-驱动电路-便携式设备中的开关