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FDG313N
N沟道,电流:0.95A,耐压:25V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG313N
- 商品编号
- C3289629
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计,可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 在 VGS = 2.7V 时,RDS(on) = 0.60 Ω
- 0.95 A、25 V。在 VGS = 4.5 V 时,RDS(on) = 0.45 Ω
- 低栅极电荷(典型值为1.64 nC)
- 极低的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5V)
- 具备栅 - 源齐纳二极管,增强ESD耐受性(人体模型 >6kV)
- 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理