IRF7834TRPBF
N沟道,电流:19A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7834TRPBF
- 商品编号
- C3289652
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 810pF |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道6引脚SC-70封装，与现有的采用42合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，有N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 在VGS为4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完整
- 最大栅极额定电压VGS为20 V
应用领域
-笔记本处理器电源同步MOSFET-网络系统隔离式DC-DC转换器同步整流MOSFET