SI1441EDH-T1-BE3
P沟道,电流:-4A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1441EDH-T1-BE3
- 商品编号
- C3289615
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 典型静电放电(ESD)性能为1500 V
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 手机
- 数码相机(DSC)
- 便携式游戏机
- MP3播放器
- 全球定位系统(GPS)
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