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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMN15UN115

N沟道,电流:30A,耐压:8V

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMN15UN115
商品编号
C3289618
商品封装
SC-74​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)5.1pF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品仅适用于计算、通信、消费和工业应用。

商品特性

  • 电压范围:12至300 V
  • 封装尺寸:1 × 0.6至5 × 6 mm
  • 最低导通电阻RDS(on)可达10 mΩ
  • 无引脚封装,侧面焊盘100%可焊
  • 静电放电(ESD)保护器件,人体模型(HBM)可达3 kV
  • 沟槽MOSFET技术
  • NPN晶体管内置偏置电阻
  • 小型无引脚超薄贴片(SMD)塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色

应用领域

  • 电源管理
  • 充电电路
  • 电源开关(电机、风扇等)
  • LED驱动器
  • LCD背光
  • 便携式设备充电开关
  • 高端负载开关
  • USB端口过压保护
  • 电池供电便携式设备的电源管理
  • 硬盘和计算机电源管理

数据手册PDF