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STL76DN4LF7AG
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL76DN4LF7AG
- 商品编号
- C3289545
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 241pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
-开关应用