FDMS8570S
N沟道, 60A, 25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8570S
- 商品编号
- C3289568
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 662pF |
商品概述
FDMS8672S旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 24 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.8 mΩ
- 当VGS = 4.5 V、ID = 22 A时,最大导通电阻rDS(on) = 3.1 mΩ
- 采用高性能技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 具备SyncFETTM肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 电信次级侧整流
- 高端服务器/工作站Vcore低端应用