UPA1763G-E1-AT
双N通道,电流:2.3A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1763G-E1-AT
- 商品编号
- C3289581
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低电容，可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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