SI1401EDH-T1-BE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:4A 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1401EDH-T1-BE3
- 商品编号
- C3289607
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款双P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。采用FLMP SC75封装，该器件的RDS(ON)和热性能针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 典型ESD性能1500 V
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关
- 手机
- 数码相机
- 便携式游戏机
- MP3
- 全球定位系统
相似推荐
其他推荐
- SI1480DH-T1-BE3
- SI1467DH-T1-BE3
- SI1469DH-T1-BE3
- SI1424EDH-T1-BE3
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- SI1441EDH-T1-BE3
- SI1539CDL-T1-BE3
- SI1499DH-T1-BE3
- SI4434ADY-T1-GE3
- SQ4920EY-T1_BE3
- SQ4483EY-T1_BE3
- SI4435DDY-T1-E3
- SI4838BDY-T1-GE3
- SQ4050EY-T1_BE3
- SI4114DY-T1-E3
- SQ4961EY-T1_GE3
- SI4850EY-T1-E3
- SQ4431EY-T1_BE3
- SQ4425EY-T1_BE3
- SI4559ADY-T1-E3
- SI4425FDY-T1-GE3