SI1401EDH-T1-BE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:4A 电流:4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1401EDH-T1-BE3
- 商品编号
- C3289607
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V,5.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款双P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。采用FLMP SC75封装，该器件的RDS(ON)和热性能针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -2.8 A，-20 V，VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 160 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 230 mΩ
- VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 390 mΩ
- 低栅极电荷、高功率和电流处理能力
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- FLMP SC75封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- 电池管理/充电器应用-负载开关
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