CMS07P10V8-HF
P沟道,电流:7A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMS07P10V8-HF
- 商品编号
- C3289577
- 商品封装
- PRPAK(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- VDS = -100V,ID = -7A,在 VGS = -10V 时,RDS(ON) = 260mΩ。
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)。
- 具备高功率和大电流处理能力。
应用领域
- 开关应用