FDMS0352S
N沟道,电流:42A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0352S
- 商品编号
- C3289573
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.065nF |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道6引脚SC-70封装，与现有的采用42号合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 25 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.4 mΩ
- 在VGS = 7 V、ID = 23 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.6 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1级坚固封装设计
- 100%进行非钳位感性负载(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流