FDG329N
N沟道,电流:1.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG329N
- 商品编号
- C3289627
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 324pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
FDMC0202S旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，提供最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 22.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 3.15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 18 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.7 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 100%通过UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信二次侧整流