- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDG329N
N沟道,电流:1.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG329N
- 商品编号
- C3289627
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 324pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化,适用于小型开关稳压器,在小封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷 (QG)。
商品特性
- R D S (O N) = 115 m Ω(V G S = 2. 5 V 时)
- 1.5 A,20 V。RDS(ON) = 90 , mΩ(VGS = 4.5 , V 时)
- 快速开关速度
- 低栅极电荷(典型值3.3 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SC70-6
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理
- 负载开关