FDJ1028N
N沟道,电流:3.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDJ1028N
- 商品编号
- C3289624
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 3.2 A,20 V
- RDS(ON) = 90 m Ω @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 130 m Ω @ VGS = 2.5 V
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- FLMP SC75封装:在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
- 电池管理