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STL260N4LF7
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 采用 PowerFLAT 5x6 封装的 N 沟道 40 V、0.85 mOhm（典型值）、120 A STripFET F7 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL260N4LF7
- 商品编号
- C3289546
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 市场上最低的RDS(ON)之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用