FDMC0202S
N沟道,电流:40A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC0202S
- 商品编号
- C3289559
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 103A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 22.5 A 时,最大 rDS(on) = 3.15 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 18 A 时,最大 rDS(on) = 4.7 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- 100%通过UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流