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SIDR626LEP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:218A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR626LEP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289538
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.170067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 218A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.34nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd以及Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 同步降压转换器
- 或门（OR-ing）
- 负载开关
- 电池管理
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