PD85035STR-E
PD85035STR-E
- 描述
- 35W 13.6V 870MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD85035STR-E
- 商品编号
- C3289543
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 76pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
PD85035-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。在共源极模式下,它可在高达1 GHz的频率和13.6 V电压下工作。PD85035-E采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO-10RF,具备最新LDMOS技术出色的增益、线性度和可靠性。PD85035-E卓越的线性度性能使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在870 MHz/13.6 V条件下,输出功率POUT = 35 W,增益为14.9 dB
- 塑料封装
- ESD保护
- 符合2002/95/EC1欧洲指令
应用领域
- 适配器
- 充电器