PD85035STR-E
PD85035STR-E
- 描述
- 35W 13.6V 870MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD85035STR-E
- 商品编号
- C3289543
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 76pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
该器件基于专有技术，在给定硅片面积下实现了同类产品中最佳的正向电压VF与反向电流IR折中。 这款60V整流器针对空间受限的应用进行了优化，在这些应用中，效率和热性能是关键因素。 该器件适用于适配器和充电器。
商品特性
- 意法半导体（ST）先进的整流器工艺
- 反向电压下漏电流稳定
- 降低的漏电流
- 低正向压降
- 高频操作
应用领域
- 适配器
- 充电器